KINDAI UNIVERSITY


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村田 順二ムラタ ジュンジ

プロフィール

所属部署名理工学部 機械工学科 / 総合理工学研究科
職名准教授
学位博士(工学)
専門加工学
ジャンル科学・技術/新技術
コメンテータガイドhttp://www.kindai.ac.jp/meikan/1227-murata-junji.html
ホームページURLhttp://www.mec.kindai.ac.jp/mech/lab/murata/index.html
メールアドレス
Last Updated :2017/09/15

コミュニケーション情報 byコメンテータガイド

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    半導体・LED・太陽電池などに用いられる機能性材料を、高精度かつ高能率に加工する技術を研究しています。特に、研磨加工や研削加工について新しい加工プロセスの開発を行っています。

学歴・経歴

学歴

  • 2001年04月 - 2005年03月, 大阪大学, 工学部, 応用自然科学科
  • 2005年04月 - 2007年04月, 大阪大学大学院, 工学研究科, 精密科学・応用物理学専攻 博士前期課程
  • 2007年04月 - 2010年03月, 大阪大学大学院, 工学研究科, 精密科学・応用物理学専攻 博士後期課程

経歴

  •   2007年04月,  - 2008年03月, 日本学術振興会特別研究員(DC1)
  •   2010年04月,  - 2014年03月, 立命館大学 理工学部機械工学科(助教)
  •   2017年03月,  - 現在, 近畿大学(講師)
  •   2017年03月,  - 現在, 近畿大学(准教授)

研究活動情報

研究分野

  • 応用物理学, 薄膜・表面界面物性
  • 機械工学, 生産工学・加工学
  • 材料工学, 無機材料・物性
  • 材料工学, 材料加工・組織制御工学

研究キーワード

  • 精密加工,研磨,半導体,表面,触媒,エッチング,砥粒,切断

論文

  • Polishing-pad-free electrochemical mechanical polishing of single-crystalline SiC surfaces using polyurethane–CeO2 core–shell particles, Junji Murata, Koushi Yodogawa, Kazuma Ban, International Journal of Machine Tools and Manufacture, 114, 1, 7,   2017年03月
  • 複合砥粒を用いた研磨に適した研磨パッドの表面構造, 一廼穂 直聡, 村田 順二, 谷 泰弘, 張 宇, 日本機械学会論文集, 日本機械学会論文集, 82, 835, 15, 00447-15-00447,   2016年03月, 査読有り
  • Polymer/CeO2-Fe3O4 multicomponent core-shell particles for high-efficiency magnetic-field-assisted polishing processes, J. Murata, Y. Ueno, K. Yodogawa, T. Sugiura, International Journal of Machine Tools and Manufacture, 101, 28, 34,   2016年02月, 査読有り
  • 機械工学導入教育における精密研磨技術を題材とした創造的教育プログラム, 村田 順二, 工学教育, 63, 6, 58, 63,   2015年11月, 査読有り
  • Photo-electrochemical etching of free-standing GaN wafer surfaces grown by hydride vapor phase epitaxy, Junji Murata, Shun Sadakuni, Electrochimica Acta, 171, 89, 95,   2015年07月, 査読有り
  • エポキシ樹脂研磨パッドの粘弾性と研磨特性, 村田順二,稲澤求,谷泰弘,張宇, 日本機械学会論文集, 80, 817, SMM0253-1, 11,   2014年09月, 査読有り
  • ワイヤ擦過援用ウェットエッチングによるシリコンの高アスペクト比溝形成 -シリコンインゴットの切断に向けた基礎的検討-, 村田順二,土田剛史,谷泰弘,張宇, 日本機械学会論文集, 80, 815, SMM0183-1, 10,   2014年08月, 査読有り
  • 電着工具用の部分Ni被覆ダイヤモンド砥粒の開発, 張宇,谷泰弘,村田順二, 日本機械学会論文集, 80, 813, SMM0111-1, 12,   2014年06月, 査読有り
  • Enhancement of photoluminescence efficiency from GaN(0001) by surface treatment, A. N. Hattori, K. Hattori, Y. Moriwaki, A. Yamamoto, S. Sadakuni, J. Murata, K. Arima, Y. Sano, K. Yamauchi, H. Daimon, K. Endo, Japanese Journal of Applied Physics, 53, 021001-1, 5,   2014年02月, 査読有り
  • エポキシ樹脂を適用したスエードパッドによるガラス研磨特性の向上, 北井庸平,村田順二,谷泰弘,張宇, 日本機械学会論文集C編, 79, 808, 5019, 5028,   2013年12月, 査読有り
  • Bias-Assisted Photochemical Planarization of GaN(0001) Substrate with Damage Layer, S. Sadakuni,J. Murata, Y. Sano, K. Yagi, S. Matsuyama, and K. Yamauchi, Japanese Journal of Applied Physics, 52, 3R, 036504-1, 4,   2013年02月, 査読有り
  • ガラス研磨における酸化セリウムの代替砥粒開発, 李承福,桐野宙治,谷泰弘,村田順二, 日本機械学会論文集C編, 78, 791, 2710, 2719,   2012年07月, 査読有り
  • 滞留性を考慮した複合砥粒の開発とその研磨特性, 一廼穂直聡,村田順二,谷泰弘,張宇,山田美幸,楊原武, 日本機械学会論文集(C編), 78, 790, 2302, 2311,   2012年06月, 査読有り
  • Structural and chemical characteristics of atomically smooth GaN surfaces prepared by abrasive-free polishing with Pt catalyst, J. Murata, S. Sadakuni, T. Okamoto, A. N. Hattori, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, K. Yamauchi, Journal of Crystal Growth, 349, 83, 88,   2012年05月, 査読有り
  • Improvement of Removal Rate in Abrasive-free Planarization of 4H-SiC Substrates Using Catalytic Platinum and Hydrofluoric Acid, T. Okamoto, Y. Sano, K. Tachibana, B. V. Pho, K. Arima, K. Inagaki, K.Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, H. Asano, A. Isohashi and K. Yamauchi, Japanese Journal of Applied Physics, 51, 4R, 0406501-1, 4,   2012年04月, 査読有り
  • Atomically controlled chemical polishing of GaN using platinum and hydrofluoric acid, S. Sadakuni, J. Murata, Y. Sano, K. Yagi, T. Okamoto, K. Tachibana, H. Asano, K. Yamauchi, Physica Status Solidi C, 9, 3月4日, 433, 435,   2012年03月, 査読有り
  • Atomically Smooth Gallium Nitride Surfaces prepared by chemical Etching with Platinum Catalyst in Water, J. Murata, T. Okamoto, S. Sadakuni, A. Hattori, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, and K. Yamauchi, Journal of the Electrochemical Society, 159, 4, H417, H420,   2012年01月, 査読有り
  • Structure and Magnetic Properties of Mono- and Bi-Layer Graphene Films on Ultraprecision Figured 4H-SiC(0001) Surfaces, Azusa N. Hattori, Takeshi Okamoto, Shun Sadakuni, Junji Murata, Hideo Oi, Kenta Arima, Yasuhisa Sano, Ken Hattori, Hiroshi Daimon, Katsuyoshi Endo, and Kazuto Yamauchi, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11, 4, 2897, 2902,   2011年04月, 査読有り
  • Dependence of process characteristics on atomic-step density in catalyst-referred etching of 4H?SiC (0001) surface, Takeshi Okamoto, Yasuhisa Sano, Kazuma Tachibana, Kenta Arima, Azusa N. Hattori, Keita Yagi, Junji Murata, Shun Sadakuni, and Kazuto Yamauchi, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11, 4, 2928, 2930,   2011年04月, 査読有り
  • Efficient wet etching of GaN (0001) substrate with subsurface damage layer, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, T. Okamoto, K. Arima, A. N. Hattori and K. Yamauchi, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11, 4, 2979, 2982,   2011年04月, 査読有り
  • Improved Optical and Electrical Characteristics of Free-standing GaN substrates by Chemical Polishing Utilizing Photo-Electrochemical Method, J. Murata, Y. Shirasawa, Y. Sano, S. Sadakuni, K. Yagi, T. Okamoto, A. N. Hattori, K. Arima and K. Yamauchi, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11, 4, 2882, 2885,   2011年04月, 査読有り
  • Abrasive-free planarization of 3-inch 4H-SiC substrate using catalyst-referred etching, Takeshi Okamoto, Yasuhisa Sano, Kazuma Tachibana, Kenta Arima, Azusa. N. Hattori, Keita Yagi, Junji Murata, Materials Science Forum, 679-680, 493, 495,   2011年02月, 査読有り
  • TEM observation of 8 deg off-axis 4H-SiC(0001) surfaces planarized by catalyst-referred etching, Shun Sadakuni, Ngo Xuan Dai, Yasuhisa Sano, Kenta Arima, Keita Yagi, Junji Murata, Takeshi Okamoto, Kazuma Tachibana, and Kazuto Yamauchi, Materials Science Forum, 679-680, 489, 492,   2011年02月, 査読有り
  • Influence of gallium additives on surface roughness for photoelectrochemical planarization of GaN, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, T. Okamoto, K. Tachibana, K. Yamauchi, Physica Status Solidi (c), 8, 2223, 2225,   2011年, 査読有り
  • Formation of wide and atomically flat graphene layers on ultraprecision-figured4H-SiC(0001) surfaces, A. N. Hattori, T. Okamoto, S. Sadakuni, J. Murata, K. Arima, Y. Sano, K. Hattori, H. Daimon, K. Endo, K. Yamauchi, Surface Science, 605, 597, 605,   2011年, 査読有り
  • ガラス研磨用酸化セリウム低減化技術の動向, 谷泰弘,村田順二, 機能材料, 31, 7, 31, 36,   2011年
  • ガラス研磨用エポキシ樹脂研磨パッドの開発, 村田順二,谷泰弘,広川良一,野村信幸,張 宇,宇野純基, 日本機械学会論文集C編, 77, 777, 2153, 2161,   2011年, 査読有り
  • 電鋳技術を適用した水晶研磨用極薄キャリアの開発, 谷 泰弘,宇田隆三,楠本丈朗,村田順二,張 宇, 日本機械学會論文集 C編, 76, 772, 3837, 3842,   2010年12月, 査読有り
  • On-machine Method to Condition the Grinding Ability of Resin-Bond Wheels, Yasuhiro Tani, Taewon Kim, Junji Murata, Yu Zhang, Sho Sawayama and Kousuke Tsutanaka, Advanced Materials Research, 126-128, 159, 164,   2010年08月, 査読有り
  • Reduction of surface roughness of 4H-SiC by catalyst-referred etching, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, T. Hatayama, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, K. Tachibana, Y.Shirasawa, H. Mimura, T. Fuyuki and K. Yamauchi, Materials Science Forum, 645-648, 775, 758,   2010年, 査読有り
  • Influence of the UV light Intensity on the Photoelectrochemical Planarization Technique for Gallium Nitride, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, A. N. Hattori, T. Okamoto and K. Yamauchi, Materials Science Forum, 645-648, 795, 798,   2010年, 査読有り
  • 超平坦化加工を施した4H-SiC (0001)表面−高品質グラフェン作製への応用−, 服部梓,岡本武志,定国峻,村田順二,有馬健太,佐野泰久,遠藤勝義,山内和人, 表面科学, 31, 466, 473,   2010年, 査読有り
  • A Study on a Surface Preparation Method for Single-Crystal SiC Using an Fe Catalyst, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata, H. Yasui, S. Miyamoto, H. Hara, Y. Sano, K. Yamauchi, Journal of Electronic Materials, 38, 159, 163,   2009年, 査読有り
  • Planarization of GaN (0001) Surface by Photo-Electrochemical Method with Solid Acidic or Basic Catalyst, J. Murata, S. Sadakuni, K. Yagi, Y. Sano, T. Okamoto, K. Arima, A. N. Hattori, H. Mimura, and K. Yamauchi, Japanese Journal of Applied Physics, 48, 121001-1, 4,   2009年, 査読有り
  • Chemical planarization of GaN using hydroxyl radicals generated on a catalyst plate in H2O2 solution, J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura and K. Yamauchi, Journal of Crystal Growth, 310, 1637, 1641,   2008年, 査読有り
  • New chemical planarization of SiC and GaN using an Fe plate in H2O2 solution, J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura and K. Yamauchi, Materials Science Forum, 600-603, 815, 818,   2008年, 査読有り
  • Damage-free Planarization of 2-inch 4H-SiC Wafer Using Pt Catalyst Plate and HF solution, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura and K. Yamauchi, Materials Science Forum, 600-603, 835, 838,   2008年, 査読有り
  • Catalyst-Referred Etching of Silicon, H. Hara, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, H. Mimura and K. Yamauchi, Science and Technology of Advanced Materials, 8, 162,   2007年, 査読有り
  • Fabrication of damascene Cu wirings using solid acidic catalyst, K. Yagi, J. Murata, H. Hara, Y. Sano, K. Yamauchi and H. Goto, Science and Technology of Advanced Materials, 8, 166, 169,   2007年, 査読有り
  • Atomic-scale flattening of SiC surfaces by electroless chemical etching in HF solution with Pt catalyst, K. Arima, H. Hara, J. Murata, T. Ishida, R. Okamoto, K. Yagi, Y. Sano, H. Mimura and K. Yamauchi, Applied Physics Letters, 90, 202106-1, 3,   2007年, 査読有り
  • Damage-free Planarization of 4H-SiC (0001) by Catalyst-Referred Etching, H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata and K. Yamauchi, Materials Science Forum, 556-557, 749, 751,   2007年, 査読有り
  • Defect-Free Planarization of 4H-SiC(0001) Substrate Using Reference Plate, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura and K. Yamauchi, Japanese Journal of Applied Physics, 47, 104, 107,   2007年, 査読有り
  • Catalyst-referred etching of 4H-SiC substrate using hydroxyl radicals generated from hydrogen peroxide molecules, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, Y. Sano, H. Hara, T. Okamoto, K. Arima, H. Mimura, K. Yamauchi, Surface and Interface Analysis, 40, 998, 1001,   2007年, 査読有り
  • Novel abrasive-free planarization of 4H-SiC (0001) using catalyst, H. Hara, Y. Sano, H. mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata and K. Yamauchi, Journal of Electronic Materials, 35, L11, L14,   2006年, 査読有り

書籍等出版物

  • 生産加工入門(機械工学テキストライブラリ), 谷 泰弘、村田順二, 共著, 第6章~第10章, 数理工学社,   2014年02月
  • 最新研磨技術, 村田順二他, 分担執筆, 第5章, シーエムシー出版,   2012年10月

講演・口頭発表等

  • 光ファイバ/ 電極アレイを利用した光電気化学的切断法の開発, 村田順二、船田光祐, 精密工学会2017年度春季大会、慶応大学,   2017年03月15日
  • 単結晶SiC基板の砥粒フリー電気化学的研磨法の基礎検討, 合田和樹、長友大樹、村田順二, 精密工学会2017年度春季大会、慶応大学,   2017年03月13日
  • コアシェル構造粒子を用いたSiC基板の電解複合CMP技術の開発, 村田順二,淀川恒史, 電気化学会第83回大会,大阪大学,   2016年
  • セリウム薄膜を用いたガラスの砥粒フリー研磨加工に関する研究, 合田和樹,村田順二, 日本機械学会関西支部卒業研究発表会,大阪電気通信大学,   2016年
  • New slicing method of Si ingots using a wet etching assisted by wire-friction, O. Kirino, Y. Kawahata, J. Murata, Y. Zhang, Y. Tani, 6th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology, Harbin, China,   2015年
  • 原子・分子の立場から機械加工を“サイエンス”する, 村田順二, はりま産学交流会,姫路市,   2015年
  • 金属メッシュを用いたラッピング用研磨工具の開発, 小川達也,村田順二,谷泰弘,愈云程,張宇, 2014年度精密工学会春季学術講演会,東京大学,   2014年
  • 不織布研磨パッドの組成が研磨特性に与える影響, 進藤大輝,村田順二,谷泰弘,張宇, 2014年度精密工学会春季学術講演会,東京大学,   2014年
  • ろう付け法によるダイヤモンドバンドソー製造技術の開発, M. Aizat,張宇,谷泰弘,村田順二, 2014年度精密工学会春季学術講演会,東京大学,   2014年
  • 吸引ノズル型電鋳工具製造装置の開発 , 児玉仁嗣,張宇,谷泰弘,村田順二,山村和也, 2014年度精密工学会春季学術講演会,東京大学,   2014年
  • エッチング援用切断技術の開発(第3報)-エッチャント供給方法の加工特性への影響-, 土田剛史,村田順二,谷泰弘,桐野宙治,川波多裕司, 2014年度精密工学会春季学術講演会,東京大学,   2014年
  • 化学反応による精密加工, 村田順二, 2014年度HOCX東大阪総会,大阪,   2014年
  • High performance suede-type polishing pad containing epoxy resin, O. Kirino, Y. Kitai, J. Murata, and Y. Tani, The 14th International Conference of the European Society for Precision Engineering & Nanotechnology, Dubrovnik, Croatia,   2014年
  • Development of novel lapping plates with porous structure fabricated by metallic fiber sintering, Y. Kokubu, Y. Tani, J. Murata, and Y. Zhang, 15th International Conference on Precision Engineering, Kanazawa, Japan,   2014年
  • Novel non-woven polishng pad impregnated with epoxy resin, H. Shindo, Y. Tani, J. Murata, and Y. Zhang, 15th International Conference on Precision Engineering, Kanazawa, Japan,   2014年
  • ろう付け法を用いたダイヤモンドバンドソーの開発, M. Aizat,張宇,谷泰弘,村田順二, 2014年度精密工学会関西地方学術講演会,近畿大学,   2014年
  • エポキシ樹脂を含浸した不織布研磨パッドの開発, 進藤大輝,谷泰弘,張宇,村田順二, 2014年度精密工学会関西地方学術講演会,近畿大学,   2014年
  • 金属繊維を用いたラップ定盤の開発, 國分祐介,谷泰弘,張宇,村田順二, 2014年度精密工学会関西地方学術講演会,近畿大学,   2014年
  • 多孔質研磨パッドの研磨特性, 谷泰弘,張宇,村田順二,野村信幸, 2014年度日本機械学会年次大会,東京電機大学,   2014年
  • 物理化学反応を利用したものづくり ?半導体・太陽電池・光学素子の精密加工技術―, 村田順二, 産学連携合同セミナー,東大阪市,   2014年
  • 研磨パッドの表面形状による複合砥粒の研磨特性への影響, 一廼穂直聡,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会秋季大会,東京工業大学,   2013年
  • 仕上げ研磨用高機能スエードパッドの開発, 北井庸平,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会春季大会,東京工業大学,   2013年
  • エポキシ樹脂研磨パッドの粘弾性と研磨特性, 稲澤求,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会春季大会,東京工業大学,   2013年
  • セリア代替ジルコニア砥粒の研磨特性向上, 小川達也,谷泰弘,村田順二,張宇,山田美幸,楊原武,齋藤喜隆, 2013年度精密工学会春季大会,東京工業大学,   2013年
  • エッチング援用切断技術の開発(第2 報)-往復式マルチワイヤスライサによる切断特性-, 土田剛史,村田順二,谷泰弘,川波多裕司,桐野宙治, 2013年度精密工学会春季大会,東京工業大学,   2013年
  • エポキシ樹脂研磨パッドの高研磨特性の要因, 稲澤求,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会関西地方学術講演会,大阪工業大学,   2013年
  • 塩化物を添加したジルコニア砥粒によるガラスの鏡面研磨, 小川達也,谷泰弘,村田順二,張宇,山田美幸,楊原武,齋藤喜隆, 2013年度精密工学会関西地方学術講演会,大阪工業大学,   2013年
  • 砥粒の滞留性を改善する樹脂を適用したスエードパッドの開発, 北井庸平,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会関西地方学術講演会,大阪工業大学,   2013年
  • エッチング援用切断技術の開発-往復式マルチワイヤスライサの開発と切断特性-, 土田剛史,村田順二,谷泰弘,張宇, 2013年度精密工学会関西地方学術講演会,大阪工業大学,   2013年
  • エポキシ樹脂研磨パッドによる高付加価値研磨技術, 村田順二,谷泰弘,張宇,野村信幸, 2013年度日本機械学会年次大会,岡山大学,   2013年
  • Siのエッチング援用スライスにおける切断特性の向上, 村田順二,土田剛史,谷泰弘,桐野宙治,川波多裕司, 2013年度日本機械学会年次大会,岡山大学,   2013年
  • 砥粒の滞留性に着目した高機能ラップ定盤の開発, 國分祐介,谷泰弘,村田順二,張宇, 2013年度精密工学会秋季学術講演会,関西大学,   2013年
  • スラリー保持性に優れる樹脂を含浸した不織布パッドの開発, 進藤大輝,谷泰弘,村田順二,北井庸平,張宇, 2013年度精密工学会秋季学術講演会,関西大学,   2013年
  • 有機メディア粒子を用いたジルコニア複合粒子の研磨特性, 田中雄一郎,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • 複合砥粒の滞留性改善による研磨特性向上, 一廼穂直聡,村田順二,張宇,谷泰弘,楊原武,山田美幸, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • 滞留性を改善した高性能ラッピング砥粒の開発, 村田順二,谷泰弘,澤井貴行,張宇,李承福,桐野宙治, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • 上定盤加工特性に着目した新たな両面研磨向け砥粒の開発, 桐野宙治,小幡卓,宮城直紀,谷泰弘,村田順二, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • 多孔質エポキシ樹脂研磨パッドの温度特性の改善, 稲澤求,谷泰弘,村田順二,張宇,野村信幸,広川良一, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • ドラム式電着ダイヤモンドワイヤ製造装置の開発, 楊聖?,谷泰弘,張宇,村田順二,桐野宙治, 2012年度精密工学会春季大会,首都大学東京,   2012年
  • 複合砥粒および代替砥粒を用いた高性能ガラス研磨技術, 山田美幸,楊原武,齋藤喜隆,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • ポーラス電鋳ブレードの開発, 兒玉仁嗣,張宇,谷泰弘,村田順二, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • ジルコニア砥粒を用いたガラス鏡面研磨におけるスラリー添加剤の効果, 小川達也,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • エポキシ樹脂研磨パッドの温度特性を改善する硬化剤の検討, 稲澤求,谷泰弘,村田順二,張宇,野村信幸,広川良一, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • 板状アルミナ粒子を用いた複合粒子研磨法に関する研究, 張?旻,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • 多孔質エポキシ樹脂研磨パッドの開発, 野村信幸,広川良一,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • 樹脂コーティングによる研磨パッドの高機能化, 北井庸平,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • エッチング援用スライシングによるシリコン切断技術の開発, 土田剛史,村田順二,谷泰弘,張宇, 2012年度精密工学会関西地方学術講演会,立命館大学,   2012年
  • Development of alternative abrasives of cerium oxide for glass polishing, S. Lee, O. Kirino, Y. Tani and J. Murata, The 12th International Conference of the European Society for Precision Engineering & Nanotechnology, Stockholm, Sweden,   2012年
  • Development of urethane-containing epoxy resin polishing pad for glass finishing, J. Murata, Y. Tani, R. Hirokawa, N. Nomura and Y. Zhang, The 12th International Conference of the European Society for Precision Engineering & Nanotechnology, Stockholm, Sweden,   2012年
  • 化学作用を援用したガラス研磨向け高性能ジルコニア砥粒の開発, 桐野宙治,李承福,谷泰弘,村田順二, 2012年度砥粒加工学会学術講演会,同志社大学,   2012年
  • ブラシめっき法を用いた電鋳ブレード製造の基礎検討, 張宇,谷泰弘,村田順二,賀来大樹,桐野宙治,鈴木庸久, 2012年度砥粒加工学会学術講演会,同志社大学,   2012年
  • 多孔質エポキシ樹脂研磨パッドによる両面研磨特性, 稲澤求,谷泰弘,村田順二,野村信幸,広川良一,張宇, 2012年度砥粒加工学会学術講演会,同志社大学,   2012年
  • 滞留性改善砥粒によるラップ特性の加工条件依存, 村田順二,谷泰弘,桐野宙治,張宇, 2012年度砥粒加工学会学術講演会,同志社大学,   2012年
  • 砥粒の滞留性を改善した高機能研磨パッドの開発, 北井庸平,村田順二,張宇,谷泰弘, 2012年度日本機械学会年次大会,金沢大学,   2012年
  • 滞留性を改善したメディア粒子によるガラス研磨特性の向上, 張?旻,村田順二,張宇,谷泰弘, 2012年度日本機械学会年次大会,金沢大学,   2012年
  • ガラス研磨用ジルコニア複合砥粒を用いたセリア砥粒の代替, 小川達也,村田順二,張宇,谷泰弘, 2012年度日本機械学会年次大会,金沢大学,   2012年
  • ポーラス電鋳ブレードの切れ味評価, 兒玉仁嗣,張宇,村田順二,谷泰弘, 2012年度日本機械学会年次大会,金沢大学,   2012年
  • ジルコニア砥粒を用いたガラス研磨における研磨特性の改善, 山田美幸,楊原武,齋藤喜隆,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会秋季大会,九州工業大学,   2012年
  • 複合砥粒における滞留性改善粒子の添加効果, 一廼穂直聡,村田順二,張宇,谷泰弘,楊原武,山田美幸, 2012年度精密工学会秋季大会,九州工業大学,   2012年
  • 多孔質エポキシパッドによる各種工作物の研磨特性, 杉浦崇仁,谷泰弘,村田順二,野村信幸,広川良一,張宇, 2012年度精密工学会秋季大会,九州工業大学,   2012年
  • エポキシウレタンパッドによる温度特性の改善, 野村信幸,広川良一,谷泰弘,村田順二,張宇, 2012年度精密工学会秋季大会,九州工業大学,   2012年
  • ウェットエッチングによる太陽電池Siの新規切断技術の開発, 土田剛史,村田順二,谷泰弘,張宇,桐野宙治, 2012年度精密工学会秋季大会,九州工業大学,   2012年
  • セリア砥粒成分がガラス研磨に与える影響 , 田中雄一朗,谷泰弘,一廼穂直聡,村田順二,張宇, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • 研磨パッドの表面状態と複合砥粒の研磨特性の関係 , 村田順二,谷泰弘,楊原武,山田美幸,張宇, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • エポキシ樹脂研磨パッドのコンディショニングの検討 , 張宇,谷泰弘,村田順二,広川良一,野村信幸, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • エポキシ樹脂パッドによる研磨特性の加工条件依存性, 野村信幸,広川良一,谷泰弘, 村田順二,張宇, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • 研磨パッドの表面処理による研磨特性の向上 , 桐野宙治,谷泰弘,村田順二,張宇, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • 工作物材質に対応した複合砥粒の開発 , 一廼穂直聡,谷泰弘,村田順二,楊原武,山田美幸,張宇, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • ダイシングブレードの振動とチッピングの抑制に関する研究, 山本真大,谷泰弘,張宇,村田順二, 2011年度精密工学会春季大会,東洋大学,   2011年
  • Development of composite abrasives and epoxy resin polishing pads to reduce the use of CeO2 abrasives in glass polishing, J. Murata, Y. Tani, M. Yamada, T. Yanagihara, N. Nomura, R. Hirokawa, Y. Zhang, and O. Kirino, The 11th International Conference of the European Society for Precision Engineering & Nanotechnology, Como, Italy,   2011年
  • セリア循環使用時の研磨能率劣化の原因究明, 田中雄一郎,谷泰弘,村田順二,張宇,山田美幸,楊原武, 精密工学会関西支部2011年度学術講演会,兵庫県立大学,   2011年
  • 低硬度エポキシ樹脂パッドの加工条件依存性, 村田順二,谷泰弘,野村信幸,広川良一,張宇, 2011年度砥粒加工学会学術講演会,中央大学,   2011年
  • 低硬度エポキシ樹脂パッドのコンディショニング特性, 村田順二,谷泰弘,野村信幸,広川良一,張宇, 2011年度砥粒加工学会学術講演会,中央大学,   2011年
  • 砥粒の表面処理による電着工具の品質向上, 張宇,谷泰弘,橋爪雄大,金偉,村田順二, 2011年度砥粒加工学会学術講演会,中央大学,   2011年
  • エポキシ樹脂研磨パッドの両面研磨への適用, 桐野宙治,小幡卓,谷泰弘,村田順二, 2011年度砥粒加工学会学術講演会,中央大学,   2011年
  • 有機メディア粒子を用いた複合粒子研磨法の開発, 村田順二,谷泰弘,張宇, 2011年度日本機械学会年次大会,東京工業大学,   2011年
  • 代替砥粒ジルコニアのガラス研磨特性, 村田順二,谷泰弘,野村信幸,広川良一,張宇, 2011年度日本機械学会年次大会,東京工業大学,   2011年
  • エポキシ樹脂塗布スエードパッドの開発, 村田順二,谷泰弘,張宇, 2011年度精密工学会秋季大会,金沢大学,   2011年
  • エポキシ樹脂パッドのガラスレンズ研磨への適用, 桐野宙治,宮城直紀,谷泰弘,村田順二, 2011年度精密工学会秋季大会,金沢大学,   2011年
  • 金属フィルム補強による電鋳ブレードの切断性能の向上, 張宇,谷泰弘,村田順二,金井宏文, 2011年度精密工学会秋季大会,金沢大学,   2011年
  • ドラム式電着ダイヤモンドワイヤ製造法の基礎検討, 楊聖?,谷泰弘,村田順二,張宇,桐野宙治, 2011年度精密工学会秋季大会,金沢大学,   2011年
  • ウレタン・エポキシ共重合研磨パッドの研磨特性, 野村信幸,広川良一,谷泰弘,村田順二,張宇, 2011年度精密工学会秋季大会,金沢大学,   2011年
  • 触媒基準エッチング法によるSiCの平坦化と加工表面評価, 岡本武志,佐野泰久,定国峻,橘一真,有馬健太,服部梓,八木圭太,村田順二,白沢佑樹,山内和人, 第57回応用物理学関係連合講演会,東海大学,   2010年
  • 白金触媒とHF溶液を用いた平坦化法によるSiC加工表面の高分解能TEM観察, 定国峻,N. X. Dai,佐野泰久,有馬健太,服部梓,村田順二,岡本武志,橘一真,山内和人, 2010年度精密工学会春季大会,埼玉大学,   2010年
  • 紫外線硬化樹脂を用いた研磨パッドの機上再生技術に関する研究, 村田順二,張宇,谷泰弘, 2010年度精密工学会関西地方学術講演会,京都大学,   2010年
  • Abrasive-free planarization of 3-inch 4H-SiC substrate by catalyst-referred etching, T. Okamoto, Y. Sano, K. Tachibana, K. Arima, A. N. Hattori, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, and K. Yamauchi, The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo, Norway,   2010年
  • Abrasive-free planarization of GaN using photoelectrochemical reaction, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, A. Hattori, T. Okamoto, K. Tachibana, and K. Yamauchi, International Workshop on Nitride Semiconductors 2010, Tampa, USA,   2010年
  • 多孔質エポキシ樹脂研磨パッドの最適化に関する研究, 村田順二,張宇,谷泰弘, 2010年度砥粒加工学会学術講演会,岡山大学,   2010年
  • 感光性フィルムを用いたダイシングブレードの補強に関する研究, 張宇,谷泰弘,東海平,山本真大,村田順二, 2010年度精密工学会秋季大会,名古屋大学,   2010年
  • 化学エッチングを用いたGaN基板の高能率平坦化加工, 定国峻,村田順二,八木圭太,佐野泰久,有馬健太,岡本武志,橘一真,山内和人, 第71回応用物理学会学術講演会,長崎大学,   2010年
  • 触媒基準エッチング法による平坦化4H-SiC表面の断面TEM観察, 定国峻,N. X. Dai,佐野泰久,有馬健太,服部梓,八木圭太,村田順二,岡本武志,橘一真,山内和人, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会,つくば市,   2010年
  • 複合砥粒の滞留性とガラスの研磨特性, 村田順二,谷泰弘,楊原武,山田美幸,張宇, 第8回日本機械学会生産加工・工作機械部門講演会,岡山大学,   2010年
  • 多孔質エポキシ樹脂研磨パッドの材料特性とガラスの研磨特性, 谷泰弘,張宇,村田順二,広川良一,野村幸信, 第8回日本機械学会生産加工・工作機械部門講演会,岡山大学,   2010年
  • Improvement of the removal rate of planarization technique for GaN by applying bias, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, T. Okamoto, K. Tachibana, and K. Yamauchi, Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2010年
  • Processing characteristics in catalyst-referred etching of 4H-SiC substrates, T. Okamoto, Y. Sano, K. Tachibana, K. Arima, A. N. Hattori, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, and K. Yamauchi, Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2010年
  • 電鋳技術を適用した両面研磨用極薄キャリアの開発, 谷泰弘,村田順二,宇田隆三,楠本丈朗,張宇, 第12回関西表面技術フォーラム,京都大学,   2010年
  • 部分Niコートのダイヤモンド砥粒の作製および応用, 谷泰弘,張宇,橋爪雄大,村田順二, 第12回関西表面技術フォーラム,京都大学,   2010年
  • Photo-enhanced chemical planarization of gallium nitride using a solid acidic catalyst, J. Murata, S. Sadakuni, K. Yagi, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2009年
  • Novel abrasive-free chemical planarization of 4H-SiC 8°off wafer using a catalyst, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, T. Hatayama, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura, T. Fuyuki, and K. Yamauchi, First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2009年
  • 触媒基準エッチング法による4H-SiCの加工(第5報)-加工原理の考察-, 原英之,佐野泰久,森川良忠,岡本武志,八木圭太,村田順二,定国峻, 有馬健太,山内和人, 2009年度精密工学会春季大会,中央大学,   2009年
  • 光電気化学プロセスおよび固体酸触媒を利用したGaN表面平坦化技術の開発, 村田順二,定国峻,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人, 第56回応用物理学関係連合講演会,筑波大学,   2009年
  • 研磨起因欠陥を有するGaN基板表面の光電気化学エッチング, 定国峻,村田順二,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人, 第56回応用物理学関係連合講演会,筑波大学,   2009年
  • 触媒基準エッチング法による4H-SiC 8°offウェハの平坦化加工, 岡本武志,佐野泰久,原 英之,畑山智亮,有馬健太,八木圭太,村田順二,三村秀和,冬木隆,山内和人, 第56回応用物理学関係連合講演会,筑波大学,   2009年
  • ショットキーバリアダイオードの特性評価によるGaN基板表面の評価, 白沢佑樹,佐野泰久,村田順二,山内和人, 2009年度精密工学会春季大会,神戸大学,   2009年
  • 光電気化学プロセス及び固体酸触媒を用いたGaN基板平坦化技術の開発, 定国峻,村田順二,八木圭太,佐野泰久,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人, 2009年度精密工学会春季大会,神戸大学,   2009年
  • 触媒基準エッチング法によるSiC基板表面の粗さ向上, 佐野泰久,岡本武志,八木圭太,橘一真,村田順二,定國峻,有馬健太,山内和人, 第70回応用物理学会学術講演会,富山大学,   2009年
  • GaN結晶表面加工技術の新展開, 山内和人,佐野泰久,村田順二,定国峻, 第70回応用物理学会学術講演会,富山大学,   2009年
  • Reduction of surface roughness by catalyst-referred etching, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, T. Hatayama, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura, T. Fuyuki, and K. Yamauchi, 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, Nurnberg, Germany,   2009年
  • Planarization of GaN using photoelectrochemical process and solid catalyst, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, T. Okamoto, K. Arima, H. Mimura, and K. Yamauchi, 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, Nurnberg, Germany,   2009年
  • Planarization of GaN surface using photo-electro chemical process and solid acid catalyst, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, K. Arima, Y. Sano, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, Third International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology, Kitakyusyu, Japan,   2009年
  • Abrasive-free planarization of 4H-SiC substrates for epitaxial growth, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, T. Hatayama, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, T. Fuyuki, and K. Yamauchi, Third International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology, Kitakyusyu, Japan,   2009年
  • Improvement of schottky diode properties on GaN surface using damage-free planarization, J. Murata, Y. Shirasawa, Y. Sano, S. Sadakuni, K. Yagi, T. Okamoto, and K. Yamauchi, The Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2009年
  • Abrasive-free chemical planarization of 4H-SiC 8°off wafer using a catalyst, T. Okamoto, Y. Sano, K. Tachibana, K. Arima, A. N. Hattori, K. Yagi, J. Murata, S. Sadakuni, and K. Yamauchi, The Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2009年
  • Development of planarization method for gallium nitride using photoelectrochemical process, S. Sadakuni, J. Murata, K. Yagi, Y. Sano, K. Arima, A. Hattori, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, The Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2009年
  • 触媒基準エッチング法を用いた4H-SiC C面の平坦化加工, 橘一真,佐野泰久,岡本武志,白沢佑樹,原英之,有馬健太,服部梓,八木圭太,村田順二,定国峻,山内和人, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会,神戸市,   2009年
  • 触媒基準エッチング法を用いた4H-SiC基板の表面粗さ除去, 岡本武志,佐野泰久,橘一真,白沢佑樹,原英之,有馬健太,服部梓,八木圭太,村田順二,定国峻,山内和人, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会,神戸市,   2009年
  • 第一原理分子動力学計算を用いた4H-SiC 表面エッチング機構の考察, 原英之,森川良忠,佐野泰久,有馬健太,服部梓,村田順二,岡本武志,三村秀和,山内和人, 第55回応用物理学関係連合講演会,日本大学,   2008年
  • 光照射援用化学研磨法によるGaN基板の平坦化加工, 定国峻,村田順二,佐野泰久,有馬健太,原英之,岡本武志,三村秀和,山内和人, 第55回応用物理学関係連合講演会,日本大学,   2008年
  • 光照射援用化学研磨法による自立GaN基板 の平坦化とその評価, 村田順二,定国峻,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人, 2008年秋季応用物理学会学術講演会,中部大学,   2008年
  • 触媒基準エッチング法による2インチ4H-SiCウエハの平坦化, 原英之,佐野泰久,有馬健太,八木圭太,村田順二,久保田章亀,三村秀和,山内和人, 第54回応用物理学会関係連合講演会,青山学院大学,   2007年
  • 触媒基準エッチング法によるGaN基板の平坦化加工, 村田順二,久保田章亀,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,三村秀和,山内和人, 第54回応用物理学会関係連合講演会,青山学院大学,   2007年
  • Damage-free planarization of GaN using a catalyst plate, J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, 15th International Conference on Crystal Growth, Salt lake city, USA,   2007年
  • New crystal planarization technique using a catalyst plate, H. Hara, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura, and K Yamauchi, 15th International Conference on Crystal Growth, Salt lake city, USA,   2007年
  • 触媒基準エッチング法を用いた2インチ4H-SiCウェハの平坦化加工, 岡本武志,佐野泰久,原英之,有馬健太,八木圭太,村田順二,三村秀和,山内和人, 第68回応用物理学会学術講演会,北海道工業大学,   2007年
  • Novel abrasive-free planarization of GaN using a catalytic reference plate, J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2007年
  • Planarization mechanism of catalyst- referred etching, H. Hara, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, H. Mimura, and K Yamauchi, International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2007年
  • New chemical planarization of SiC and GaN using Fe plate in H2O2 solution, J. Murata, A. Kubota, K. Yagi, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, T. Okamoto, H. Mimura, and K. Yamauchi, 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan,   2007年
  • Damage-free planarization of 2-inch 4H-SiC wafer using Pt catalyst plate and HF solution, T. Okamoto, Y. Sano, H. Hara, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, H. Mimura, and K. Yamauchi, 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan,   2007年
  • 4H-SiC表面におけるステップ構造生成機構の考察―表面エネルギーの第一原理分子動力学計算―, 原英之,森川良忠,佐野泰久,有馬健太,八木圭太,村田順二,岡本武志,三村秀和,山内和人, 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会,名古屋市,   2007年
  • 光照射援用型化学研磨法によるGaN基板平坦化加工, 村田順二,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人, 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会,名古屋市,   2007年
  • 触媒基準エッチング法を用いた4H-SiC8°offウェハの平坦化加工, 岡本武志,佐野泰久,原英之,有馬健太,八木圭太,村田順二,三村秀和,山内和人, 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会,名古屋市,   2007年
  • Mo触媒を利用した触媒基準エッチング法によるSiCの平坦化, 原英之,佐野久,有馬健太,八木圭太,村田順二,久保田章亀,三村秀和,山内和人, 第67回応用物理学会学術講演会,立命館大学,   2006年
  • Novel abrasive-free planarization of Si and SiC using catalyst, H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata, and K Yamauchi, The 11th International Conference on Precision Engineering, Tokyo, Japan,   2006年
  • 触媒基準エッチング法による4H-SiCの加工(第3報)―モリブデン触媒の検討―, 原 英之,佐野泰久,有馬健太,八木圭太,村田順二,久保田章亀,三村秀和,山内和人, 2006年度精密工学会秋季大会,宇都宮大学,   2006年
  • Damage-free planarization of 4H-SiC by catalyst-referred etching, H. Hara, Y. Sano, H. Mimura, K. Arima, A. Kubota, K. Yagi, J. Murata, and K Yamauchi, The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK,   2006年
  • Development of catalyst-referred etching, H. Hara, Y. Sano, K. Arima, K. Yagi, J. Murata, A. Kubota, H. Mimura, and K. Yamauchi, International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2006年
  • Fabrication of damascene Cu wiring using solid acid catalyst, K. Yagi, J. Murata, H. Hara, Y. Sano, K. Yamauchi, and H. Goto, International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan,   2006年
  • 触媒基準エッチング法によるGaNの加工, 村田順二,久保田章亀,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,三村秀和,山内和人, 2006年度精密工学会秋季大会,宇都宮大学,   2006年
  • 触媒基準エッチング法によるSiC平坦化における代替触媒の評価, 原英之,佐野泰久,有馬健太,八木圭太,村田順二,久保田章亀,三村秀和,山内和人, 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会,高崎市,   2006年
  • 水分解触媒電極を用いた超純水電気化学加工法の研究, 村田順二,一井愛雄,森勇藏,広瀬喜久治,遠藤勝義,山内和人,後藤英和, 2005年度精密工学会秋季大会,京都大学,   2005年

特許

  • 研磨方法, 佐野 泰久, 山内 和人, 村田 順二, 岡本 武志, 定國 峻, 八木 圭太, 特願2014-263598, 特開2015-128161
  • 研磨具及び研磨装置, 佐野 泰久, 山内 和人, 村田 順二, 岡本 武志, 定國 峻, 八木 圭太, 特願2013-215415, 特開2014-027299
  • 研磨具及び研磨装置, 佐野 泰久, 山内 和人, 村田 順二, 岡本 武志, 定國 峻, 八木 圭太, 特願2013-215415, 特開2014-027299, 特許第5682076号
  • 研磨パッドの製造方法, 谷 泰弘, 村田 順二, 桐野 宙治, 特願2013-175406, 特開2014-193518
  • 研磨工具, 谷 泰弘, 村田 順二, 桐野 宙治, 特願2013-174472, 特開2015-042427
  • 研磨材および研磨方法, 齋藤 喜隆, 楊原 武, 山田 美幸, 谷 泰弘, 村田 順二, 特願2013-011559, 特開2014-140937
  • 研磨材および研磨方法, 山田 美幸, 楊原 武, 齋藤 喜隆, 谷 泰弘, 村田 順二, 桐野 宙治, 特願2013-011558, 特開2014-140936
  • シリコンインゴットの切断方法, 村田 順二, 桐野 宙治, JP2012072915, WO2013-128688
  • シリコンインゴットの切断方法, 村田 順二, 桐野 宙治, 特願2014-501955, 特許第5891470号
  • 平坦化方法, 山内 和人, 佐野 泰久, 原 英之, 村田 順二, 八木 圭太, 特願2011-271384, 特開2012-064972, 特許第5248671号
  • 触媒支援型化学加工方法及び装置, 山内 和人, 佐野 泰久, 原 英之, 村田 順二, 八木 圭太, 特願2006-328287, 特開2008-121099
  • 触媒支援型化学加工方法及び装置, 山内 和人, 佐野 泰久, 原 英之, 村田 順二, 八木 圭太, 特願2006-328331, 特開2008-081389
  • 触媒支援型化学加工方法及び加工装置, 山内 和人, 佐野 泰久, 村田 順二, 原 英之, 八木 圭太, 特願2006-328515, 特開2008-136983
  • 触媒支援型化学加工方法及び装置, 山内 和人, 佐野 泰久, 原 英之, 村田 順二, 八木 圭太, 特願2006-328287, 特開2008-121099, 特許第5007384号
  • 平坦化方法及び平坦化装置,  , 2009-117782
  • 触媒支援型化学加工方法及び加工装置,  , 2008-136983
  • 触媒支援型加工方法及び装置,  , 2008-121099
  • 触媒支援型加工方法及び装置,  , 2008-81389
  • 研磨方法及び研磨装置,  , 2011-125938
  • 研磨具及び研磨装置,  , 2011-129596
  • 研磨方法及び研磨装置,  , 2011-146695
  • 研磨方法及び研磨装置, 2009-284492, 2010-251699

受賞

  •   2013年09月, 精密工学会, 技術奨励賞, ウェットエッチングを利用した太陽電池シリコンのダメージフリースライシングの開発
  •   2012年02月, 2011年度日本機械学会賞(論文) 「ガラス研磨用多孔質エポキシ樹脂研磨パッドの開発」 村田順二,谷泰弘,広川良一,野村信幸,張宇,宇野純基
  •   2010年12月, 第12回関西表面技術フォーラム「優秀ポスター発表賞」
  •   2009年11月, JSPE prize best paper award (3rd International Conference of Asian Society for Precision Engineerign and Nanotechnology)
  •   2009年03月, 2008年秋季応用物理学会講演奨励賞

競争的資金

  • 文部科学省, 科学研究費補助金(若手B), 次世代オプトエレクトロニクス基板の原子スケール平坦化技術の開発, 村田 順二
  • 先端加工機械技術振興協会, 平成24年度研究助成, ウェットエッチングを利用した太陽電池シリコンのマルチ切断加工の開発, 村田 順二
  • 三豊科学技術振興協会, 平成24年度研究助成, ウェットエッチングを利用した太陽電池シリコンのダメージレスマルチスライシング, 村田 順二
  • 文部科学省, 科学研究費補助金(若手B), 光電気化学プロセスを利用した窒化ガリウム超平坦面作製技術の開発, 村田 順二
  • 財団法人 先端加工機械技術振興協会, 電解酸化を利用したワイドギャップ半導体基板表面の高能率・超精密加工に関する研究

教育活動情報

担当経験のある科目

  • 精密加工学, 近畿大学
  • 図学および機械製図, 近畿大学
  • 機械加工実習Ⅰ, 近畿大学
  • 機械加工実習Ⅱ, 近畿大学
  • 機械製図基礎演習, 近畿大学
  • 機械システム実験Ⅰ, 立命館大学
  • 機械システム実験Ⅱ, 立命館大学
  • 生産加工学, 立命館大学
  • 精密加工学Ⅱ, 立命館大学
  • 卒業研究, 立命館大学